Geförderte Projekte

Cluster

I – Materials, technology and devices:

Thema des Clusters

II – Device models and control (Power IC):

Thema des Clusters

III – Bi-directional devices and topologies:

Thema des Clusters

Aktive Projekte

Projektname	Institution	Verantwortlich	Cluster
Elektronischer Transport polarisationsinduzierter, zweidimensionaler Elektronengase mit extrem hoher Flächendichte für ScAlN/GaN-basierte Leistungstransistoren (ScNius)	Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, Institut für Nachhaltige Technische Systeme – INATECH TU Bergakademie Freiberg, Institut für Angewandte Physik	Oliver Ambacher, Ali Yassine Johannes Heitmann, Peter Fischer	I I
Planare und Vertikale Homo- und Heteroübergänge für Innovative GaN-basierte Leistungsbauelemente	Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Physik (IfP) RWTH Aachen, Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der Verbindungshalbleiter	Jürgen Christen, Holger Eisele, Gordon Schmidt, Konstantin Wein Andrei Vescan, Qi Shu	I I
Übergangsmetall-nitrid-AlGaN Schichten mittels Sputterepitaxie für elektronische Anwendungen	Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Abt. Halbleiterepitaxie Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Abt. Materialphysik	Armin Dadgar, Christopher Lüttich Martin Feneberg, Jona Grümbel	I I
Hochfrequent schaltende Leistungskonverter basierend auf AlN-Leistungstransistoren	TU Berlin, Chair of Power Electronics Ferdinand Braun Institut, GaN Power Electronic Devices Lab Ferdinand Braun Institut, Transmitter & Receiver	Sibylle Dieckerhoff, Viktoria Schwarzott Oliver Hilt, Houssam Halhoul Andreas Wentzel, Thomas Hoffmann	II+III I+III II
Modellierung und Charakterisierung von GaN-HEMT-Bauelementen unter Berücksichtigung von Trapping-Effekten	KIT, Leistungselektronische Systeme KIT, Institut für Hochleistungsimpuls- und Mikrowellentechnik	Marc Hiller, Philipp Swoboda Martin Sack, Ivan Vorotiahin	II II
Konforme intelligente GaN Systems-in-Package auf Basis von 3D-Keramik für die Leistungselektronik (3D-CeraGaN)	Universität Stuttgart, Institut für Robuste Leistungshalbleitersysteme Universität Stuttgart, Institut für Mikrointegration	Ingmar Kallfass, Manuel Rueß André Zimmermann, Peter Mack	II I
Adaptiver GaN Gatetreiber mit induktiver Mitkopplung für höchste Effizienz (AGaNDrive)	Universität Duisburg-Essen, Elektronische Bauelemente und Schaltungen TU Dortmund, Lehrstuhl Energiewandlung	Anton Grabmaier, Rainer Kokozinski, Markus Diekmann Martin Pfost, Céline Lawniczak	II II
Selbstheilende Multi-Winding-DC/DC-Konverter mit GaN-basierten monolithisch integrierten bidirektionalen Bauelementen	CAU Kiel, Chair of Power Electronics RWTH Aachen, Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der Verbindungshalbleiter	Marco Liserre, Thiago Pereira Andrei Vescan, Jasmin Ehrler	III I+III
Modellierung und Bewertung der Schwellspannungsinstabilität in p-Gate GaN HEMTs	TU Dortmund, Lehrstuhl Energiewandlung	Martin Pfost, Thorsten Oeder	II
Gleichtaktarme dreiphasige PFC-Gleichrichterfamilie ermöglicht im lückfreien Hochsetzbetrieb mit nur zwei HF-Schaltern und Speicherdrosseln vereinfachte Leistungsarchitekturen durch Einsatz von GaN	Universität Paderborn, Leistungselektronik und Elektrische Antriebstechnik	Frank Schafmeister, Saurav Das	III
Aluminium Nitrid für die vertikale Leistungselektronik	TU Braunschweig, Institut für Halbleitertechnik Friedrich-Alexander-Universität, Lehrstuhl für Optoelektronik	Andreas Waag, Klaas Strempel Bernd Witzigmann, Samuel Faber	I I