Funded Projects

Cluster

I – Materials, technology and devices

II – Device models and control (Power IC):

Topic of cluster B

III – Bi-directional devices and topologies:

Topic of cluster C

Project name	Institution	PI	Cluster
Electronic transport of polarization-induced, two-dimensional electron gases with extremely high sheet carrier density for ScAlN/GaN-based power devices (ScNius)	Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, Institut für Nachhaltige Technische Systeme – INATECH TU Bergakademie Freiberg, Institut für Angewandte Physik	Oliver Ambacher, Ali Yassine Johannes Heitmann, Peter Fischer, Alexander Schmid	I I
Planar and Vertical Junctions for innovative GaN-Based High-Power Devices	Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Physik (IfP) RWTH Aachen, Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der Verbindungshalbleiter	Jürgen Christen, Holger Eisele, Gordon Schmidt, Konstantin Wein Andrei Vescan, Qi Shu	I I
Transition metal-nitride-AlGaN layers for electronic applications by sputtering epitaxy	Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Abt. Halbleiterepitaxie Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Abt. Materialphysik	Armin Dadgar, Christopher Lüttich Martin Feneberg, Jona Grümbel	I I
High Frequency Switching Power Converters based on AlN-based Power Transistors	TU Berlin, Chair of Power Electronics Ferdinand Braun Institut, GaN Power Electronic Devices Lab Ferdinand Braun Institut, Transmitter & Receiver	Sibylle Dieckerhoff, Viktoria Schwarzott Oliver Hilt, Houssam Halhoul Andreas Wentzel, Thomas Hoffmann	II+III I+III II
Modelling and characterization of GaN-HEMT devices with respect to effects of charge carrier trapping	KIT, Leistungselektronische Systeme KIT, Institut für Hochleistungsimpuls- und Mikrowellentechnik	Marc Hiller, Philipp Swoboda Martin Sack, Ivan Vorotiahin	II II
Conformal 3D Ceramic-Based Intelligent GaN Power Systems-in-Package (3D-CeraGaN)	Universität Stuttgart, Institut für Robuste Leistungshalbleitersysteme Universität Stuttgart, Institut für Mikrointegration	Ingmar Kallfass, Manuel Rueß André Zimmermann, Peter Mack	II I
Adaptive GaN gate driver with inductive feed-forward for highest efficiency (AGaNDrive)	Universität Duisburg-Essen, Elektronische Bauelemente und Schaltungen TU Dortmund, Lehrstuhl Energiewandlung	Anton Grabmaier, Rainer Kokozinski, Markus Diekmann Martin Pfost, Céline Lawniczak	II II
Monolithically Integrated Bidirectional GaN-Based Switch enabling Self-Healing Multi-Winding DC/DC Converters	CAU Kiel, Chair of Power Electronics RWTH Aachen, Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der Verbindungshalbleiter	Marco Liserre, Thiago Pereira Andrei Vescan, Jasmin Ehrler	III I+III
Modelling and Assessment of Threshold Voltage Instabilities in p-gate GaN HEMTs	TU Dortmund, Lehrstuhl Energiewandlung	Martin Pfost, Thorsten Oeder	II
GaN-Enabled Three-Phase PFC-Rectifier Family in CCM-Boost Mode Employing Only Two HF-Switches and Inductors for Low Common Mode and Simplified Power Architectures	Universität Paderborn, Leistungselektronik und Elektrische Antriebstechnik	Frank Schafmeister, Saurav Das	III
Aluminum Nitride for vertical Power Electronics	TU Braunschweig, Institut für Halbleitertechnik Friedrich-Alexander-Universität, Lehrstuhl für Optoelektronik	Andreas Waag, Klaas Strempel Bernd Witzigmann, Samuel Faber	I I