Funded Projects

Cluster


I – Materials, technology and devices


II – Device models and control (Power IC):

Topic of cluster B


III – Bi-directional devices and topologies:

Topic of cluster C

Project nameInstitutionPICluster
Electronic transport of polarization-induced, two-dimensional electron gases with extremely high sheet carrier density for ScAlN/GaN-based power devices (ScNius)Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, Institut für Nachhaltige Technische Systeme – INATECH
TU Bergakademie Freiberg, Institut für Angewandte Physik
Oliver Ambacher, Philipp Döring
Johannes Heitmann, Peter Fischer, Alexander Schmid
I
I
Planar and Vertical Junctions for innovative GaN-Based High-Power DevicesOtto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Physik (IfP)
RWTH Aachen, Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der Verbindungshalbleiter
Jürgen Christen, Holger Eisele
Andrei Vescan, Qi Shu
I
I
Transition metal-nitride-AlGaN layers for electronic applications by sputtering epitaxyOtto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Abt. Halbleiterepitaxie
Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Abt. Materialphysik
Armin Dadgar, Christopher Lüttich
Martin Feneberg, Jona Grümbel
I
I
High Frequency Switching Power Converters based on AlN-based Power TransistorsTU Berlin, Chair of Power Electronics
Ferdinand Braun Institut, GaN Power Electronic Devices Lab
Ferdinand Braun Institut, Transmitter & Receiver
Sibylle Dieckerhoff, Viktoria Schwarzott
Oliver Hilt, Houssam Halhoul
Andreas Wentzel, Thomas Hoffmann
II+III
I+III
II
Modelling and characterization of GaN-HEMT devices with respect to effects of charge carrier trappingKIT, Leistungselektronische Systeme
KIT, Institut für Hochleistungsimpuls- und Mikrowellentechnik
Marc Hiller
Martin Sack
II
II
Conformal 3D Ceramic-Based Intelligent GaN Power Systems-in-Package (3D-CeraGaN)Universität Stuttgart, Institut für Robuste Leistungs­halbleiter­systeme
Universität Stuttgart, Institut für Mikrointegration
Ingmar Kallfass, Manuel Rueß
André Zimmermann, Peter Mack
II
I
Adaptive GaN gate driver with inductive feed-forward for highest efficiency (AGaNDrive)
Universität Duisburg-Essen, Elektronische Bauelemente und Schaltungen
TU Dortmund, Lehrstuhl Energiewandlung
Anton Grabmaier, Rainer Kokozinski, Markus Diekmann
Martin Pfost, Céline Lawniczak
II
II
Monolithically Integrated Bidirectional GaN-Based Switch enabling Self-Healing Multi-Winding DC/DC ConvertersCAU Kiel, Chair of Power Electronics
RWTH Aachen, Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der Verbindungshalbleiter
Marco Liserre, Thiago Pereira
Andrei Vescan, Jasmin Ehrler
III
I+III
Modelling and Assessment of Threshold Voltage Instabilities in p-gate GaN HEMTsTU Dortmund, Lehrstuhl EnergiewandlungMartin Pfost, Thorsten OederII
GaN-Enabled Three-Phase PFC-Rectifier Family in CCM-Boost Mode Employing Only Two HF-Switches and Inductors for Low Common Mode and Simplified Power ArchitecturesUniversität Paderborn, Leistungselektronik und Elektrische AntriebstechnikFrank SchafmeisterIII
Aluminum Nitride for vertical Power ElectronicsTU Braunschweig, Institut für Halbleitertechnik
Friedrich-Alexander-Universität, Lehrstuhl für Optoelektronik
Andreas Waag, Klaas Strempel
Bernd Witzigmann, Samuel Faber
I
I