Geförderte Projekte

Cluster


I – Materials, technology and devices:

Thema des Clusters


II – Device models and control (Power IC):

Thema des Clusters


III – Bi-directional devices and topologies:

Thema des Clusters



Aktive Projekte

ProjektnameInstitutionVerantwortlichCluster
Elektronischer Transport polarisationsinduzierter, zweidimensionaler Elektronengase mit extrem hoher Flächendichte für ScAlN/GaN-basierte Leistungstransistoren (ScNius)Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, Institut für Nachhaltige Technische Systeme – INATECH
TU Bergakademie Freiberg, Institut für Angewandte Physik
Oliver Ambacher
Johannes Heitmann, Peter Fischer
I
I
Planare und Vertikale Homo- und Heteroübergänge für Innovative GaN-basierte Leistungsbauelemente Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Physik (IfP)
RWTH Aachen, Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der Verbindungshalbleiter
Jürgen Christen, Holger Eisele
Andrei Vescan, Qi Shu
I
I
Übergangsmetall-nitrid-AlGaN Schichten mittels Sputterepitaxie für elektronische AnwendungenOtto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Abt. Halbleiterepitaxie
Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Abt. Materialphysik
Armin Dadgar
Martin Feneberg
I
I
Hochfrequent schaltende Leistungskonverter basierend auf AlN-LeistungstransistorenTU Berlin, Chair of Power Electronics
Ferdinand Braun Institut, GaN Power Electronic Devices Lab
Ferdinand Braun Institut, Transmitter & Receiver
Sibylle Dieckerhoff, Viktoria Schwarzott
Oliver Hilt, Houssam Halhoul
Andreas Wentzel, Thomas Hoffmann
II+III
I+III
II
Modellierung und Charakterisierung von GaN-HEMT-Bauelementen unter Berücksichtigung von Trapping-EffektenKIT, Leistungselektronische Systeme
KIT, Institut für Hochleistungsimpuls- und Mikrowellentechnik
Marc Hiller
Martin Sack
II
II
Konforme intelligente GaN Systems-in-Package auf Basis von 3D-Keramik für die Leistungselektronik (3D-CeraGaN)Universität Stuttgart, Institut für Robuste Leistungs­halbleiter­systeme
Universität Stuttgart, Institut für Mikrointegration
Ingmar Kallfass, Manuel Rueß
André Zimmermann, Peter Mack
II
I
Adaptiver GaN Gatetreiber mit induktiver Mitkopplung für höchste Effizienz (AGaNDrive)Universität Duisburg-Essen, Elektronische Bauelemente und Schaltungen
TU Dortmund, Lehrstuhl Energiewandlung
Anton Grabmaier, Rainer Kokozinski, Markus Diekmann
Martin Pfost, Céline Lawniczak
II
II
Selbstheilende Multi-Winding-DC/DC-Konverter mit GaN-basierten monolithisch integrierten bidirektionalen BauelementenCAU Kiel, Chair of Power Electronics
RWTH Aachen, Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der Verbindungshalbleiter
Marco Liserre, Thiago Pereira
Andrei Vescan, Jasmin Ehrler
III
I+III
Modellierung und Bewertung der Schwellspannungsinstabilität in p-Gate GaN HEMTsTU Dortmund, Lehrstuhl EnergiewandlungMartin Pfost, Thorsten OederII
Gleichtaktarme dreiphasige PFC-Gleichrichterfamilie ermöglicht im lückfreien Hochsetzbetrieb mit nur zwei HF-Schaltern und Speicherdrosseln vereinfachte Leistungsarchitekturen durch Einsatz von GaNUniversität Paderborn, Leistungselektronik und Elektrische AntriebstechnikFrank SchafmeisterIII
Aluminium Nitrid für die vertikale LeistungselektronikTU Braunschweig, Institut für Halbleitertechnik
Friedrich-Alexander-Universität, Lehrstuhl für Optoelektronik
Andreas Waag, Klaas Strempel
Bernd Witzigmann, Samuel Faber
I
I