Geförderte Projekte in GaNius I

Cluster

I – Materials, technology and devices

II – Device models and control (Power IC)

II – Device models and control (Power IC)

Cluster I

Cluster II

Cluster III

ProjektnameInstitutionVerantwortlichCluster
Elektronischer Transport polarisationsinduzierter, zweidimensionaler Elektronengase mit extrem hoher Flächendichte für ScAlN/GaN-basierte Leistungstransistoren (ScNius)Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, Institut für Nachhaltige Technische Systeme – INATECHOliver Ambacher, Ali YassineI
Elektronischer Transport polarisationsinduzierter, zweidimensionaler Elektronengase mit extrem hoher Flächendichte für ScAlN/GaN-basierte Leistungstransistoren (ScNius)TU Bergakademie Freiberg, Institut für Angewandte PhysikJohannes Heitmann, Peter Fischer, Alexander SchmidI
Planare und Vertikale Homo- und Heteroübergänge für Innovative GaN-basierte Leistungsbauelemente Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Physik (IfP)Jürgen Christen, Holger Eisele, Gordon Schmidt, Konstantin WeinI
Planare und Vertikale Homo- und Heteroübergänge für Innovative GaN-basierte Leistungsbauelemente RWTH Aachen, Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der VerbindungshalbleiterAndrei Vescan, Qi ShuI
Übergangsmetall-nitrid-AlGaN Schichten mittels Sputterepitaxie für elektronische AnwendungenOtto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Abt. HalbleiterepitaxieArmin Dadgar, Christopher LüttichI
Übergangsmetall-nitrid-AlGaN Schichten mittels Sputterepitaxie für elektronische AnwendungenOtto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Abt. MaterialphysikMartin Feneberg, Jona GrümbelI
Hochfrequent schaltende Leistungskonverter basierend auf AlN-LeistungstransistorenTU Berlin, Lehrstuhl LeistungselektronikSibylle Dieckerhoff, Viktoria SchwarzottII, III
Hochfrequent schaltende Leistungskonverter basierend auf AlN-LeistungstransistorenFerdinand Braun Institut, GaN Power Electronic Devices LabOliver Hilt, Houssam HalhoulI, III
Hochfrequent schaltende Leistungskonverter basierend auf AlN-LeistungstransistorenFerdinand Braun Institut, Transmitter & ReceiverAndreas Wentzel, Thomas HoffmannII
Modellierung und Charakterisierung von GaN-HEMT-Bauelementen unter Berücksichtigung von Trapping-EffektenKIT, Leistungselektronische SystemeMarc Hiller, Philipp SwobodaII
Modellierung und Charakterisierung von GaN-HEMT-Bauelementen unter Berücksichtigung von Trapping-EffektenKIT, Institut für Hochleistungsimpuls- und MikrowellentechnikMartin Sack, Ivan VorotiahinII
Konforme intelligente GaN Systems-in-Package auf Basis von 3D-Keramik für die Leistungselektronik (3D-CeraGaN)Universität Stuttgart, Institut für Robuste Leistungs­halbleiter­systemeIngmar Kallfass, Manuel RueßII
Konforme intelligente GaN Systems-in-Package auf Basis von 3D-Keramik für die Leistungselektronik (3D-CeraGaN)Universität Stuttgart, Institut für MikrointegrationAndré Zimmermann, Peter MackI
Adaptiver GaN Gatetreiber mit induktiver Mitkopplung für höchste Effizienz (AGaNDrive)Universität Duisburg-Essen, Elektronische Bauelemente und SchaltungenAnton Grabmaier, Rainer Kokozinski, Markus DiekmannII
Adaptiver GaN Gatetreiber mit induktiver Mitkopplung für höchste Effizienz (AGaNDrive)TU Dortmund, Lehrstuhl EnergiewandlungMartin Pfost, Céline LawniczakII
Selbstheilende Multi-Winding-DC/DC-Konverter mit GaN-basierten monolithisch integrierten bidirektionalen BauelementenCAU Kiel, Chair of Power ElectronicsMarco Liserre, Thiago PereiraIII
Selbstheilende Multi-Winding-DC/DC-Konverter mit GaN-basierten monolithisch integrierten bidirektionalen BauelementenRWTH Aachen, Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der VerbindungshalbleiterAndrei Vescan, Jasmin EhrlerI, III
Modellierung und Bewertung der Schwellspannungsinstabilität in p-Gate GaN HEMTsTU Dortmund, Lehrstuhl EnergiewandlungMartin Pfost, Thorsten OederII
Modellierung und Bewertung der Schwellspannungsinstabilität in p-Gate GaN HEMTsTU Berlin, Lehrstuhl LeistungselektronikSibylle DieckerhoffII
Gleichtaktarme dreiphasige PFC-Gleichrichterfamilie ermöglicht im lückfreien Hochsetzbetrieb mit nur zwei HF-Schaltern und Speicherdrosseln vereinfachte Leistungsarchitekturen durch Einsatz von GaNUniversität Paderborn, Leistungselektronik und Elektrische AntriebstechnikFrank Schafmeister, Saurav DasIII
Aluminium Nitrid für die vertikale LeistungselektronikTU Braunschweig, Institut für HalbleitertechnikAndreas Waag, Klaas StrempelI
Aluminium Nitrid für die vertikale LeistungselektronikFriedrich-Alexander-Universität, Lehrstuhl für OptoelektronikBernd Witzigmann, Samuel FaberI

Geförderte Projekte in GaNius I

Cluster

I – Materials, technology and devices

III – Bi-directional devices and topologies:

II – Device models and control (Power IC)

ProjektnameInstitutionVerantwortlichCluster
Temperaturbestimmung bei GaN basierten Bauelementen auf Basis von Temperatursensitiven Elektrischen Parametern (TSEP)Universität BayreuthMark Bakran, Andreas BäumlerI
ReToGaN – Analyse der Zuverlässigkeit, Parameterstabilität und Schaltungstopologien für GaN-basierte LeistungselektronikTechnische Universität ChemnitzThomas Basler, Gengqi LiI
ReToGaN – Analyse der Zuverlässigkeit, Parameterstabilität und Schaltungstopologien für GaN-basierte LeistungselektronikUniversität KasselJens Friebe, Yasser Yousefi ZandabadI
Modelling and Characterization of GaN-HEMTs under Stress Conditions in Power Electronic SystemsTechnische Universität BerlinSibylle DieckerhoffI
Modelling and Characterization of GaN-HEMTs under Stress Conditions in Power Electronic SystemsTechnische Universität DortmundMartin PfostI
High Frequency Switching Power Converters based on AlN-based Power TransistorsTechnische Universität BerlinSibylle Dieckerhoff, Jonas SchlindweinII, III
High Frequency Switching Power Converters based on AlN-based Power TransistorsFerdinand-Braun-Institut BerlinOliver HiltII, III
High Frequency Switching Power Converters based on AlN-based Power TransistorsFerdinand-Braun-Institut BerlinAndreas WentzelII, III
GaN-HEMT Driver utilizing Alternative Control and Feed-Forward Techniques (GaNdalf)Universität Duisburg EssenAnton GrabmaierII, III
GaN-HEMT Driver utilizing Alternative Control and Feed-Forward Techniques (GaNdalf)Technische Universität DortmundMartin PfostII, III
Characterization and Application of GaN-HEMTs at Cryogenic TemperaturesKarlsruher Institut für TechnologieMarc HillerI
Highly-Efficient, Isolated Multi-MHz GaN-based DC-DC Converters with Active Diode RectificationUniversität StuttgartIngmar Kallfass, Manuel RueßII
Highly-Efficient, Isolated Multi-MHz GaN-based DC-DC Converters with Active Diode RectificationFriedrich-Alexander-Universität Erlangen-NürnbergMartin März, Nikolai WeitzII
Exploiting GaN Devices for Drive Inverters and Drive Inverters for GaN Devices (DriveForGaN)Otto-von-Guericke-Universität MagdeburgAndreas Lindemann, Tianyu LiI, II, III
Exploiting GaN Devices for Drive Inverters and Drive Inverters for GaN Devices (DriveForGaN)Technische Universität BraunschweigRegine Mallwitz, Minjia ChenI, II, III
Performance Evaluation of Soft-and Hard-Switched Inverters Based on Monolithically-Integrated Bidirectional GaN DevicesChristian-Albrechts-Universität zu KielMarco Liserre, Reza BarzgarkhoIII
Bidirectional-GaN-based Soft-switched Current Source ConvertersTechnische Universität MünchenMarcelo Lobo Heldwein, Christos LeontarisIII
Toward chip-scale Off-line Power supplies in GaN: Advancing monolithic GaN analog and mixed signal circuit design for high-efficiency and highly integrated power-factor correction (PFC) convertersLeibniz Universität HannoverBernhard Wicht, Niklas DenekeII